IPB072N15N3G دیتاشیت

IPB072N15N3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB072N15N3G
حجم فایل 65.643 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IPB072N15N3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB072N15N3G
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@270uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.2mΩ@10V,100A
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه